Fabrikant :
GeneSiC Semiconductor
Beskrivelse :
TRANS SJT 650V 7A TO-257
Teknologi :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Afløb til Source Voltage (VDSS) :
650V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C :
7A (Tc) (165°C)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
170 mOhm @ 7A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds :
720pF @ 35V
Power Dissipation (Max) :
80W (Tc)
Driftstemperatur :
-55°C ~ 225°C (TJ)
Monteringstype :
Through Hole
Leverandør Device Package :
TO-257
Pakke / tilfælde :
TO-257-3