Vishay Semiconductor Diodes Division - 1N6481-E3/97

KEY Part #: K6458274

1N6481-E3/97 Prissætning (USD) [1025340stk Lager]

  • 1 pcs$0.03807
  • 10,000 pcs$0.03788

Varenummer:
1N6481-E3/97
Fabrikant:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detaljeret beskrivelse:
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB. Rectifiers 400 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Dioder - Zener - Single, Transistorer - JFET'er, Dioder - Rectifiers - Arrays, Thyristorer - SCR'er, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays and Dioder - Zener - Arrays ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Vishay Semiconductor Diodes Division 1N6481-E3/97 elektroniske komponenter. 1N6481-E3/97 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til 1N6481-E3/97, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N6481-E3/97 Produktegenskaber

Varenummer : 1N6481-E3/97
Fabrikant : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beskrivelse : DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
Serie : SUPERECTIFIER®
Del Status : Active
Diodetype : Standard
Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max) : 400V
Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io) : 1A
Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis : 1.1V @ 1A
Hastighed : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Nuværende - Reverse Lækage @ Vr : 10µA @ 400V
Kapacitans @ Vr, F : 8pF @ 4V, 1MHz
Monteringstype : Surface Mount
Pakke / tilfælde : DO-213AB, MELF (Glass)
Leverandør Device Package : DO-213AB
Driftstemperatur - Junction : -65°C ~ 175°C

Du kan også være interesseret i
  • 1SS250(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High

  • SE20AFB-M3/6A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 Volts ESD PROTECTION

  • SE20AFD-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 200 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFB-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFG-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in

  • S1M-E3/61T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 1000 Volt