Vishay Siliconix - SI4214DY-T1-GE3

KEY Part #: K6523485

SI4214DY-T1-GE3 Prissætning (USD) [4149stk Lager]

  • 2,500 pcs$0.11039

Varenummer:
SI4214DY-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay Siliconix
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - RF, Power Driver Modules, Transistorer - IGBT'er - Single, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Dioder - Variabel Kapacitans (Varicaps, Varactors), Transistorer - IGBT'er - Arrays and Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Arrays ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Vishay Siliconix SI4214DY-T1-GE3 elektroniske komponenter. SI4214DY-T1-GE3 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til SI4214DY-T1-GE3, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4214DY-T1-GE3 Produktegenskaber

Varenummer : SI4214DY-T1-GE3
Fabrikant : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
Serie : TrenchFET®
Del Status : Obsolete
FET Type : 2 N-Channel (Dual)
FET-funktion : Standard
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 30V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 8.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23.5 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 10V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 785pF @ 15V
Strøm - Max : 3.1W
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Pakke / tilfælde : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverandør Device Package : 8-SO