Vishay Siliconix - SI4909DY-T1-GE3

KEY Part #: K6522941

SI4909DY-T1-GE3 Prissætning (USD) [190084stk Lager]

  • 1 pcs$0.19459
  • 2,500 pcs$0.18272

Varenummer:
SI4909DY-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay Siliconix
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Thyristorer - DIAC'er, SIDAC'er, Transistorer - IGBT'er - Arrays, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Thyristorer - TRIACs, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Dioder - Bridge Rectifiers and Transistorer - IGBT'er - Single ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Vishay Siliconix SI4909DY-T1-GE3 elektroniske komponenter. SI4909DY-T1-GE3 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til SI4909DY-T1-GE3, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4909DY-T1-GE3 Produktegenskaber

Varenummer : SI4909DY-T1-GE3
Fabrikant : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO
Serie : TrenchFET®
Del Status : Active
FET Type : 2 P-Channel (Dual)
FET-funktion : Logic Level Gate
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 40V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 27 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 63nC @ 10V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 2000pF @ 20V
Strøm - Max : 3.2W
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Pakke / tilfælde : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverandør Device Package : 8-SO

Du kan også være interesseret i
  • IRF5810TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP.

  • FDY2000PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F.

  • DMN2040LTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP.

  • DMN2019UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8.

  • DMG8822UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP.

  • AO8801AL

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 8TSSOP.