ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS46R16160D-6TLA1-TR

KEY Part #: K938176

IS46R16160D-6TLA1-TR Prissætning (USD) [19456stk Lager]

  • 1 pcs$2.81769
  • 1,500 pcs$2.80368

Varenummer:
IS46R16160D-6TLA1-TR
Fabrikant:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Detaljeret beskrivelse:
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II. DRAM Automotive 256M,2.5V DDR1,64Mx8,166MHz
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Interface - Filtre - Aktiv, PMIC - Batteristyring, PMIC - Motorchauffører, Controllere, PMIC - Power Over Ethernet (PoE) Controllers, Lineær - Forstærkere - Særligt formål, Logik - Oversættere, Level Shifters, Interface - drivere, modtagere, transceivere and Logik - Signalafbrydere, Multiplexere, Dekodere ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16160D-6TLA1-TR elektroniske komponenter. IS46R16160D-6TLA1-TR kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til IS46R16160D-6TLA1-TR, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS46R16160D-6TLA1-TR Produktegenskaber

Varenummer : IS46R16160D-6TLA1-TR
Fabrikant : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Beskrivelse : IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
Serie : -
Del Status : Active
Hukommelsestype : Volatile
Hukommelsesformat : DRAM
Teknologi : SDRAM - DDR
Hukommelsesstørrelse : 256Mb (16M x 16)
Urfrekvens : 166MHz
Skriv cyklus Tid - Ord, Side : 15ns
Adgangstid : 700ps
Memory Interface : Parallel
Spænding - Supply : 2.3V ~ 2.7V
Driftstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Monteringstype : Surface Mount
Pakke / tilfælde : 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Leverandør Device Package : 66-TSOP II

Du kan også være interesseret i
  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58BVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)