EPC - EPC2016

KEY Part #: K6404516

Familiekategorier:: KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - FET'er, MOSFET'er - RF, Thyristorer - SCR'er - Moduler, Transistorer - Særligt formål, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Thyristorer - TRIACs and Dioder - Bridge Rectifiers ...

Konkurrencefordel:: Vi er specialiserede i EPC EPC2016 elektroniske komponenter. EPC2016 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til EPC2016, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com

Varenummer : EPC2016

Fabrikant : EPC

Beskrivelse : GANFET TRANS 100V 11A BUMPED DIE

Serie : eGaN®

Del Status : Discontinued at Digi-Key

FET Type : N-Channel

Teknologi : GaNFET (Gallium Nitride)

Afløb til Source Voltage (VDSS) : 100V

Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 11A (Ta)

Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 11A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 3mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 5.2nC @ 5V

Vgs (Max) : +6V, -5V

Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 520pF @ 50V

FET-funktion : -

Power Dissipation (Max) : -

Driftstemperatur : -40°C ~ 125°C (TJ)

Monteringstype : Surface Mount

Leverandør Device Package : Die

Pakke / tilfælde : Die

Du kan også være interesseret i