Infineon Technologies - IRFR3518PBF

KEY Part #: K6412190

IRFR3518PBF Prissætning (USD) [13531stk Lager]

  • 3,000 pcs$0.27408

Varenummer:
IRFR3518PBF
Fabrikant:
Infineon Technologies
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET N-CH 80V 38A DPAK.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Arrays, Power Driver Modules, Dioder - Bridge Rectifiers, Dioder - Rectifiers - Arrays, Transistorer - Særligt formål, Transistorer - JFET'er, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays and Dioder - Zener - Arrays ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Infineon Technologies IRFR3518PBF elektroniske komponenter. IRFR3518PBF kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til IRFR3518PBF, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFR3518PBF Produktegenskaber

Varenummer : IRFR3518PBF
Fabrikant : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 80V 38A DPAK
Serie : HEXFET®
Del Status : Discontinued at Digi-Key
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 80V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 38A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 29 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 56nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 1710pF @ 25V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 110W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandør Device Package : D-Pak
Pakke / tilfælde : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63