CRG05(TE85L,Q,M) Prissætning (USD) [944660stk Lager]
- 1 pcs$0.03915
- Varenummer:
- CRG05(TE85L,Q,M)
- Fabrikant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaljeret beskrivelse:
- DIODE GEN PURP 800V 1A S-FLAT. Rectifiers 800V Vrrm 1.0A IF 50Hz 1.2V Vfm REC
- Producentens standard ledetid:
- På lager
- Opbevaringstid:
- Et år
- Chip fra:
- Hong Kong
- RoHS:
- Betalingsmetode:
-
- Forsendelsesmåde:
- Familiekategorier:
- KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Power Driver Modules, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Arrays, Dioder - RF, Transistorer - IGBT'er - Single, Dioder - Bridge Rectifiers and Thyristorer - DIAC'er, SIDAC'er ...
- Konkurrencefordel:
- Vi er specialiserede i Toshiba Semiconductor and Storage CRG05(TE85L,Q,M) elektroniske komponenter. CRG05(TE85L,Q,M) kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til CRG05(TE85L,Q,M), bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
CRG05(TE85L,Q,M) Produktegenskaber
Varenummer :
CRG05(TE85L,Q,M)
Fabrikant :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beskrivelse :
DIODE GEN PURP 800V 1A S-FLAT
Serie :
-
Del Status :
Active
Diodetype :
Standard
Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max) :
800V
Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io) :
1A
Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis :
1.2V @ 1A
Hastighed :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Nuværende - Reverse Lækage @ Vr :
10µA @ 800V
Kapacitans @ Vr, F :
-
Monteringstype :
Surface Mount
Pakke / tilfælde :
SOD-123F
Leverandør Device Package :
S-FLAT (1.6x3.5)
Driftstemperatur - Junction :
-40°C ~ 150°C
Seneste nyt
Du kan også være interesseret i
-
VS-60APF04-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 60A TO247AC. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - TO-247-e3
-
BAV20 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array
-
BAV19 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array
-
-
-
Varme dele
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08