AS3BJ-M3/5BT Prissætning (USD) [716638stk Lager]
- 1 pcs$0.05447
- 6,400 pcs$0.05420
- Varenummer:
- AS3BJ-M3/5BT
- Fabrikant:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detaljeret beskrivelse:
- DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA. Rectifiers 3A, 600V, Avalanche, STD, SM RECT
- Producentens standard ledetid:
- På lager
- Opbevaringstid:
- Et år
- Chip fra:
- Hong Kong
- RoHS:
- Betalingsmetode:
-
- Forsendelsesmåde:
- Familiekategorier:
- KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - JFET'er, Thyristorer - SCR'er - Moduler, Transistorer - Særligt formål, Dioder - Zener - Single, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistorer - Programmerbar Unijunction and Dioder - Bridge Rectifiers ...
- Konkurrencefordel:
- Vi er specialiserede i Vishay Semiconductor Diodes Division AS3BJ-M3/5BT elektroniske komponenter. AS3BJ-M3/5BT kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til AS3BJ-M3/5BT, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
AS3BJ-M3/5BT Produktegenskaber
Varenummer :
AS3BJ-M3/5BT
Fabrikant :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beskrivelse :
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Serie :
-
Del Status :
Active
Diodetype :
Standard
Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max) :
600V
Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io) :
3A
Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis :
1.05V @ 3A
Hastighed :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
1.5µs
Nuværende - Reverse Lækage @ Vr :
20µA @ 600V
Kapacitans @ Vr, F :
40pF @ 4V, 1MHz
Monteringstype :
Surface Mount
Pakke / tilfælde :
DO-214AA, SMB
Leverandør Device Package :
DO-214AA (SMB)
Driftstemperatur - Junction :
-55°C ~ 175°C
Seneste nyt
Du kan også være interesseret i
-
RGL34G-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
BYM07-300-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 300 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated
-
BYM07-50-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated
-
EGL34C-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 150 Volt 50ns
-
EGL34F-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 300 Volt 50ns
-
EGL34A-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 0.5 Amp 50 Volt 50ns
Varme dele
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08