Alliance Memory, Inc. - AS4C32M16D3L-12BCN

KEY Part #: K940235

AS4C32M16D3L-12BCN Prissætning (USD) [28644stk Lager]

  • 1 pcs$1.59974

Varenummer:
AS4C32M16D3L-12BCN
Fabrikant:
Alliance Memory, Inc.
Detaljeret beskrivelse:
IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA. DRAM 512M 1.35V 800Mhz 32M x 16 DDR3
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Data Acquisition - Digitale Potentiometre, Interface - Serializers, Deserializers, PMIC - Spændingsregulatorer - Særligt formål, Logic - Parity Generators and Checkers, PMIC - Power Management - Specialiseret, Interface - Analoge Switches - Special Purpose, Interface - Encoders, Decoders, Converters and PMIC - Spændingsregulatorer - Lineær + Skift ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D3L-12BCN elektroniske komponenter. AS4C32M16D3L-12BCN kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til AS4C32M16D3L-12BCN, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C32M16D3L-12BCN Produktegenskaber

Varenummer : AS4C32M16D3L-12BCN
Fabrikant : Alliance Memory, Inc.
Beskrivelse : IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA
Serie : -
Del Status : Active
Hukommelsestype : Volatile
Hukommelsesformat : DRAM
Teknologi : SDRAM - DDR3
Hukommelsesstørrelse : 512Mb (32M x 16)
Urfrekvens : 800MHz
Skriv cyklus Tid - Ord, Side : -
Adgangstid : 20ns
Memory Interface : Parallel
Spænding - Supply : 1.283V ~ 1.45V
Driftstemperatur : 0°C ~ 95°C (TC)
Monteringstype : Surface Mount
Pakke / tilfælde : 96-VFBGA
Leverandør Device Package : 96-FBGA (8x13)

Du kan også være interesseret i
  • CY7C199D-25SXET

    Cypress Semiconductor Corp

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC. SRAM 256 KB, 5.50 V 25 ns Async Fast SRAMs

  • W94AD2KBJX5E TR

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz T&R

  • W632GG8MB-15

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ. DRAM 2G DDR3 SDRAM, x8, 667MHz

  • W632GG8MB-11

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ. DRAM 2G DDR3 SDRAM, x8, 933MHz

  • W632GU8MB-15

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ. DRAM 2G DDR3L 1.35V SDRAM, x8, 667MHz

  • W632GU8MB-12

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ. DRAM 2G DDR3L 1.35V SDRAM, x8, 800MHz,