TPAU3D S1G Prissætning (USD) [386323stk Lager]
- 1 pcs$0.09574
- Varenummer:
- TPAU3D S1G
- Fabrikant:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Detaljeret beskrivelse:
- DIODE AVALANCHE 200V 3A TO277A. Rectifiers 3A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier
- Producentens standard ledetid:
- På lager
- Opbevaringstid:
- Et år
- Chip fra:
- Hong Kong
- RoHS:
- Betalingsmetode:
-
- Forsendelsesmåde:
- Familiekategorier:
- KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Dioder - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistorer - IGBT'er - Arrays, Transistorer - IGBT'er - Single, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Dioder - Variabel Kapacitans (Varicaps, Varactors) and Thyristorer - SCR'er - Moduler ...
- Konkurrencefordel:
- Vi er specialiserede i Taiwan Semiconductor Corporation TPAU3D S1G elektroniske komponenter. TPAU3D S1G kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til TPAU3D S1G, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
TPAU3D S1G Produktegenskaber
Varenummer :
TPAU3D S1G
Fabrikant :
Taiwan Semiconductor Corporation
Beskrivelse :
DIODE AVALANCHE 200V 3A TO277A
Serie :
-
Del Status :
Active
Diodetype :
Avalanche
Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max) :
200V
Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io) :
3A
Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis :
1.88V @ 3A
Hastighed :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
75ns
Nuværende - Reverse Lækage @ Vr :
10µA @ 200V
Kapacitans @ Vr, F :
60pF @ 4V, 1MHz
Monteringstype :
Surface Mount
Pakke / tilfælde :
TO-277, 3-PowerDFN
Leverandør Device Package :
TO-277A (SMPC)
Driftstemperatur - Junction :
-55°C ~ 175°C
Seneste nyt
Du kan også være interesseret i
-
BAS20-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 200V
-
MMBD6050
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 70V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode
-
-
1SS196(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 80V Switching Diode S-Mini High
-
-
Varme dele
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08