IXYS - IXFJ80N25X3

KEY Part #: K6395924

IXFJ80N25X3 Prissætning (USD) [9231stk Lager]

  • 1 pcs$4.90940
  • 10 pcs$4.41758
  • 100 pcs$3.63216
  • 500 pcs$3.04315

Varenummer:
IXFJ80N25X3
Fabrikant:
IXYS
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET N-CH 250V 44A TO247.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Dioder - Variabel Kapacitans (Varicaps, Varactors), Transistorer - IGBT'er - Moduler, Transistorer - JFET'er, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single, Transistorer - Særligt formål, Dioder - RF, Thyristorer - TRIACs and Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i IXYS IXFJ80N25X3 elektroniske komponenter. IXFJ80N25X3 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til IXFJ80N25X3, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFJ80N25X3 Produktegenskaber

Varenummer : IXFJ80N25X3
Fabrikant : IXYS
Beskrivelse : MOSFET N-CH 250V 44A TO247
Serie : HiPerFET™
Del Status : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 250V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 44A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 83nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 5430pF @ 25V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 104W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandør Device Package : ISO TO-247-3
Pakke / tilfælde : TO-247-3