Micron Technology Inc. - MT47H32M16NF-25E AIT:H

KEY Part #: K938189

MT47H32M16NF-25E AIT:H Prissætning (USD) [19486stk Lager]

  • 1 pcs$2.36328
  • 1,368 pcs$2.35152

Varenummer:
MT47H32M16NF-25E AIT:H
Fabrikant:
Micron Technology Inc.
Detaljeret beskrivelse:
IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA. DRAM DDR2 512M 32MX16 FBGA
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Lineær - Forstærkere - Videoforstærkere og -module, Logik - Låse, Lineære - Analog Multiplikatorer, Dividere, Embedded - FPGA'er (Field Programmerbar Gate Array, Embedded - mikroprocessorer, PMIC - AC DC konvertere, offline switchers, PMIC - Spændingsregulatorer - Særligt formål and PMIC - Power Over Ethernet (PoE) Controllers ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Micron Technology Inc. MT47H32M16NF-25E AIT:H elektroniske komponenter. MT47H32M16NF-25E AIT:H kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til MT47H32M16NF-25E AIT:H, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT47H32M16NF-25E AIT:H Produktegenskaber

Varenummer : MT47H32M16NF-25E AIT:H
Fabrikant : Micron Technology Inc.
Beskrivelse : IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA
Serie : -
Del Status : Active
Hukommelsestype : Volatile
Hukommelsesformat : DRAM
Teknologi : SDRAM - DDR2
Hukommelsesstørrelse : 512Mb (32M x 16)
Urfrekvens : 400MHz
Skriv cyklus Tid - Ord, Side : 15ns
Adgangstid : 400ps
Memory Interface : Parallel
Spænding - Supply : 1.7V ~ 1.9V
Driftstemperatur : -40°C ~ 95°C (TC)
Monteringstype : Surface Mount
Pakke / tilfælde : 84-TFBGA
Leverandør Device Package : 84-FBGA (8x12.5)

Du kan også være interesseret i
  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58BVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)