ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS42RM16800H-75BLI-TR

KEY Part #: K939412

Detaljeret beskrivelse:: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA. DRAM 128M, 2.5V, M-SDRAM 8Mx16, 133Mhz, RoHS

Familiekategorier:: KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Ur / Timing - Realtidsur, Interface - Analoge Switches, Multiplexere, Demult, PMIC - Spændingsregulatorer - DC DC Switch Regulat, Logik - Gates and Inverters, Interface - Serializers, Deserializers, Interface - Sensor, Kapacitiv Touch, Interface - Signal Terminatorer and PMIC - Spændingsreference ...

Konkurrencefordel:: Vi er specialiserede i ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM16800H-75BLI-TR elektroniske komponenter. IS42RM16800H-75BLI-TR kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til IS42RM16800H-75BLI-TR, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com

Varenummer : IS42RM16800H-75BLI-TR

Fabrikant : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Beskrivelse : IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Serie : -

Del Status : Active

Hukommelsestype : Volatile

Hukommelsesformat : DRAM

Teknologi : SDRAM - Mobile

Hukommelsesstørrelse : 128Mb (8M x 16)

Urfrekvens : 133MHz

Skriv cyklus Tid - Ord, Side : -

Adgangstid : 6ns

Memory Interface : Parallel

Spænding - Supply : 2.3V ~ 2.7V

Driftstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)

Monteringstype : Surface Mount

Pakke / tilfælde : 54-TFBGA

Leverandør Device Package : 54-TFBGA (8x8)

Du kan også være interesseret i

CAV25M01YE-GT3

ON Semiconductor

IC EEPROM 1M SPI 10MHZ 8TSSOP. EEPROM 1 Mb SPI Serial CMOS EEPROM
W94AD2KBJX5E

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz
W9864G2JB-6I

Winbond Electronics

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp
W632GG8MB12I

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.
W632GU8MB12I

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.
W632GU8MB15I

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.