HS3A M6G Prissætning (USD) [973167stk Lager]
- 1 pcs$0.03801
- Varenummer:
- HS3A M6G
- Fabrikant:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Detaljeret beskrivelse:
- DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB.
- Producentens standard ledetid:
- På lager
- Opbevaringstid:
- Et år
- Chip fra:
- Hong Kong
- RoHS:
- Betalingsmetode:
-
- Forsendelsesmåde:
- Familiekategorier:
- KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - IGBT'er - Arrays, Transistorer - JFET'er, Dioder - Zener - Single, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Arrays, Transistorer - Særligt formål and Thyristorer - TRIACs ...
- Konkurrencefordel:
- Vi er specialiserede i Taiwan Semiconductor Corporation HS3A M6G elektroniske komponenter. HS3A M6G kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til HS3A M6G, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
HS3A M6G Produktegenskaber
Varenummer :
HS3A M6G
Fabrikant :
Taiwan Semiconductor Corporation
Beskrivelse :
DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB
Serie :
-
Del Status :
Not For New Designs
Diodetype :
Standard
Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max) :
50V
Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io) :
3A
Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis :
1V @ 3A
Hastighed :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
50ns
Nuværende - Reverse Lækage @ Vr :
10µA @ 50V
Kapacitans @ Vr, F :
80pF @ 4V, 1MHz
Monteringstype :
Surface Mount
Pakke / tilfælde :
DO-214AB, SMC
Leverandør Device Package :
DO-214AB (SMC)
Driftstemperatur - Junction :
-55°C ~ 150°C
Seneste nyt
Du kan også være interesseret i
-
1SS250(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High
-
SE20AFGHM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in
-
SE20AFDHM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 200 volts ESD PROTECTION 13in
-
SE20AFBHM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in
-
SE20AFB-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 Volts ESD PROTECTION
-
SE20AFD-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 200 volts ESD PROTECTION 13in
Varme dele
- S1J-TP
- S9147D
- SF10DG-B
- RGP10G-6038M3/73
- 1N4005-N-0-3-AP
- R7004203XXUA
- VS-1EFH02W-M3-18
- 1N3297R
- SS5P9HM3/86A
- UES2604
- EGP10AHM3/73
- EGP10A
- S4240F
- R9G20609CSOO
- 1N3909R
- 1N5622GP-E3/54
- SR502-T-F
- BYD13GGP-E3/73
- DGS17-03CS
- VF20100SG-E3/45
- SD103BW-13-F
- FESE16DT-E3/45
- JANTX1N6623
- MR756G
- RS2K-13
- 181NQ045R
- 50WQ10FN
- VS-11DQ04TR
- BAS21TA
- SS36HE3_A/I
- MBRS1100T3H
- BAT43-L0 A0G
- IDW30E60AFKSA1
- STPSC10H065G-TR
- RM 11CV
- NRVS3GB
- GP10JE-E3/73
- GL41J-E3/97
- BY206GP-E3/54
- LS101C-GS18