STMicroelectronics - STW50N65DM2AG

KEY Part #: K6402938

STW50N65DM2AG Prissætning (USD) [11159stk Lager]

  • 1 pcs$3.45509
  • 10 pcs$3.10870
  • 100 pcs$2.55597
  • 500 pcs$2.14148
  • 1,000 pcs$1.86515

Varenummer:
STW50N65DM2AG
Fabrikant:
STMicroelectronics
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET N-CH 650V 28A.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - IGBT'er - Moduler, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Dioder - Bridge Rectifiers, Transistorer - Særligt formål, Transistorer - JFET'er, Dioder - Zener - Single, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single and Thyristorer - TRIACs ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i STMicroelectronics STW50N65DM2AG elektroniske komponenter. STW50N65DM2AG kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til STW50N65DM2AG, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STW50N65DM2AG Produktegenskaber

Varenummer : STW50N65DM2AG
Fabrikant : STMicroelectronics
Beskrivelse : MOSFET N-CH 650V 28A
Serie : Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
Del Status : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 650V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 28A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 87 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 70nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 3200pF @ 100V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 300W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandør Device Package : TO-247
Pakke / tilfælde : TO-247-3