ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS46R16320E-6BLA1-TR

KEY Part #: K936913

IS46R16320E-6BLA1-TR Prissætning (USD) [15370stk Lager]

  • 1 pcs$2.98124

Varenummer:
IS46R16320E-6BLA1-TR
Fabrikant:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Detaljeret beskrivelse:
IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ. DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 2.5V, DDR1, 32Mx16, 166MHz, 60 ball FBGA RoHS, T&R
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Logik - Oversættere, Level Shifters, PMIC - PFC (Power Factor Correction), Hukommelse, Hukommelse - Batterier, PMIC - Laserdrivere, Embedded - DSP (Digital Signal Processors), PMIC - Motorchauffører, Controllere and Data Acquisition - Digitale til Analoge Omformere ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16320E-6BLA1-TR elektroniske komponenter. IS46R16320E-6BLA1-TR kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til IS46R16320E-6BLA1-TR, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS46R16320E-6BLA1-TR Produktegenskaber

Varenummer : IS46R16320E-6BLA1-TR
Fabrikant : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Beskrivelse : IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ
Serie : -
Del Status : Active
Hukommelsestype : Volatile
Hukommelsesformat : DRAM
Teknologi : SDRAM - DDR
Hukommelsesstørrelse : 512Mb (32M x 16)
Urfrekvens : 166MHz
Skriv cyklus Tid - Ord, Side : 15ns
Adgangstid : 700ps
Memory Interface : Parallel
Spænding - Supply : 2.3V ~ 2.7V
Driftstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Monteringstype : Surface Mount
Pakke / tilfælde : 60-TFBGA
Leverandør Device Package : 60-TFBGA (13x8)

Du kan også være interesseret i
  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28C256E-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP

  • AT28HC256E-12SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GZBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8

  • W29N04GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x16