Ampleon USA Inc. - BLS6G3135-120,112

KEY Part #: K6465753

BLS6G3135-120,112 Prissætning (USD) [284stk Lager]

1 pcs$164.39519
20 pcs$163.57731

Varenummer:: BLS6G3135-120,112

Fabrikant:: Ampleon USA Inc.

Detaljeret beskrivelse:: RF FET LDMOS 60V 11DB SOT502A.

Producentens standard ledetid:: På lager

Opbevaringstid:: Et år

Chip fra:: Hong Kong

RoHS:

Betalingsmetode:

Forsendelsesmåde:

Familiekategorier:: KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - Programmerbar Unijunction, Transistorer - IGBT'er - Arrays, Dioder - Zener - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Thyristorer - SCR'er, Transistorer - JFET'er, Thyristorer - DIAC'er, SIDAC'er and Transistorer - Særligt formål ...

Konkurrencefordel:: Vi er specialiserede i Ampleon USA Inc. BLS6G3135-120,112 elektroniske komponenter. BLS6G3135-120,112 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til BLS6G3135-120,112, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

BLS6G3135-120,112 Produktegenskaber

Varenummer : BLS6G3135-120,112

Fabrikant : Ampleon USA Inc.

Beskrivelse : RF FET LDMOS 60V 11DB SOT502A

Serie : -

Del Status : Active

Transistor Type : LDMOS

Frekvens : 3.1GHz ~ 3.5GHz

Gevinst : 11dB

Spænding - Test : 32V

Nuværende vurdering : 7.2A

Støj figur : -

Nuværende - Test : 100mA

Power - Output : 120W

Spændingsvurdering : 60V

Pakke / tilfælde : SOT-502A

Leverandør Device Package : LDMOST

Du kan også være interesseret i

AFM906NT1

NXP USA Inc.

WIDEBAND AIRFAST RF POWER LDMOS.
A2T27S007NT1

NXP USA Inc.

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO.
AFM907NT1

NXP USA Inc.

RF MOSFET LDMOS 7.5V 10-DFN.
MHT1108NT1

NXP USA Inc.

RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO.
IXZR08N120A-00

IXYS-RF

RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3.
BLM8D1822-25BZ

Ampleon USA Inc.

RF MOSFET LDMOS SOT1462-1.