Infineon Technologies - IRF3808PBF

KEY Part #: K6400377

IRF3808PBF Prissætning (USD) [34765stk Lager]

  • 1 pcs$1.07870
  • 10 pcs$0.97334
  • 100 pcs$0.78231
  • 500 pcs$0.60846
  • 1,000 pcs$0.50415

Varenummer:
IRF3808PBF
Fabrikant:
Infineon Technologies
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET N-CH 75V 140A TO-220AB.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - FET'er, MOSFET'er - RF, Transistorer - Programmerbar Unijunction, Dioder - Zener - Arrays, Dioder - Bridge Rectifiers, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Dioder - Variabel Kapacitans (Varicaps, Varactors) and Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Infineon Technologies IRF3808PBF elektroniske komponenter. IRF3808PBF kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til IRF3808PBF, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF3808PBF Produktegenskaber

Varenummer : IRF3808PBF
Fabrikant : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 75V 140A TO-220AB
Serie : HEXFET®
Del Status : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 75V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 140A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 mOhm @ 82A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 220nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 5310pF @ 25V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 330W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandør Device Package : TO-220AB
Pakke / tilfælde : TO-220-3