IXYS - IXTY01N100D

KEY Part #: K6406084

IXTY01N100D Prissætning (USD) [37709stk Lager]

  • 1 pcs$1.20311
  • 10 pcs$1.03020
  • 100 pcs$0.82784
  • 500 pcs$0.64387
  • 1,000 pcs$0.53350

Varenummer:
IXTY01N100D
Fabrikant:
IXYS
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Thyristorer - DIAC'er, SIDAC'er, Transistorer - IGBT'er - Moduler, Transistorer - Særligt formål, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Transistorer - JFET'er, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased and Transistorer - IGBT'er - Arrays ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i IXYS IXTY01N100D elektroniske komponenter. IXTY01N100D kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til IXTY01N100D, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTY01N100D Produktegenskaber

Varenummer : IXTY01N100D
Fabrikant : IXYS
Beskrivelse : MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA
Serie : -
Del Status : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 1000V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 100mA (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 Ohm @ 50mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±20V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 120pF @ 25V
FET-funktion : Depletion Mode
Power Dissipation (Max) : 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandør Device Package : TO-252, (D-Pak)
Pakke / tilfælde : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63