IDC08D120T6MX1SA2 Prissætning (USD) [62346stk Lager]
- 1 pcs$0.62715
- Varenummer:
- IDC08D120T6MX1SA2
- Fabrikant:
- Infineon Technologies
- Detaljeret beskrivelse:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 10A WAFER.
- Producentens standard ledetid:
- På lager
- Opbevaringstid:
- Et år
- Chip fra:
- Hong Kong
- RoHS:
- Betalingsmetode:
-
- Forsendelsesmåde:
- Familiekategorier:
- KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Thyristorer - SCR'er - Moduler, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single, Dioder - Rectifiers - Arrays, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - RF, Transistorer - IGBT'er - Moduler, Transistorer - Programmerbar Unijunction, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Arrays and Thyristorer - DIAC'er, SIDAC'er ...
- Konkurrencefordel:
- Vi er specialiserede i Infineon Technologies IDC08D120T6MX1SA2 elektroniske komponenter. IDC08D120T6MX1SA2 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til IDC08D120T6MX1SA2, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
IDC08D120T6MX1SA2 Produktegenskaber
Varenummer :
IDC08D120T6MX1SA2
Fabrikant :
Infineon Technologies
Beskrivelse :
DIODE GEN PURP 1.2KV 10A WAFER
Serie :
-
Del Status :
Active
Diodetype :
Standard
Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max) :
1200V
Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io) :
10A
Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis :
2.05V @ 10A
Hastighed :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Nuværende - Reverse Lækage @ Vr :
2.7µA @ 1200V
Kapacitans @ Vr, F :
-
Monteringstype :
Surface Mount
Pakke / tilfælde :
Die
Leverandør Device Package :
Sawn on foil
Driftstemperatur - Junction :
-40°C ~ 175°C
Seneste nyt
Du kan også være interesseret i
-
BAS19
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
MMBD4448
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Conductance Fast
-
MMBD1501A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose
-
BAS29
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
SD103BW-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 350MA 30V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 30Volt 15A IFSM AUTO
-
BAT42W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30Volt 200mA 4A IFSM
Varme dele
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G