Microsemi Corporation - APTCV60HM70BT3G

KEY Part #: K6533683

Familiekategorier:: KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioder - Rectifiers - Arrays, Transistorer - Særligt formål, Transistorer - IGBT'er - Arrays, Dioder - Zener - Single, Transistorer - IGBT'er - Single and Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased ...

Konkurrencefordel:: Vi er specialiserede i Microsemi Corporation APTCV60HM70BT3G elektroniske komponenter. APTCV60HM70BT3G kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til APTCV60HM70BT3G, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com

Varenummer : APTCV60HM70BT3G

Fabrikant : Microsemi Corporation

Beskrivelse : POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3

Serie : -

Del Status : Obsolete

IGBT Type : Trench Field Stop

Konfiguration : Boost Chopper, Full Bridge

Spænding - Samler Emitter Opdeling (Max) : 600V

Nuværende - Samler (Ic) (Max) : 50A

Strøm - Max : 250W

Vce (på) (Max) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 50A

Nuværende - Collector Cutoff (Max) : 250µA

Inputkapacitans (Cies) @ Vce : 3.15nF @ 25V

Input : Standard

NTC-termistor : Yes

Driftstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstype : Chassis Mount

Pakke / tilfælde : SP3

Leverandør Device Package : SP3

Du kan også være interesseret i

VS-GT175DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.
VS-CPV363M4KPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.
VS-GT100NA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.
VS-GT100LA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.
VS-GT100DA60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 600V 184A 577W SOT-227.
VS-GT100DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.

Varme dele