Infineon Technologies - IPP030N10N3GXKSA1

KEY Part #: K6416352

IPP030N10N3GXKSA1 Prissætning (USD) [14062stk Lager]

  • 1 pcs$2.53402
  • 10 pcs$2.26123
  • 100 pcs$1.85411
  • 500 pcs$1.50136
  • 1,000 pcs$1.26621

Varenummer:
IPP030N10N3GXKSA1
Fabrikant:
Infineon Technologies
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistorer - JFET'er, Dioder - Zener - Single, Thyristorer - DIAC'er, SIDAC'er, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Arrays, Transistorer - Særligt formål and Transistorer - IGBT'er - Arrays ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Infineon Technologies IPP030N10N3GXKSA1 elektroniske komponenter. IPP030N10N3GXKSA1 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til IPP030N10N3GXKSA1, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP030N10N3GXKSA1 Produktegenskaber

Varenummer : IPP030N10N3GXKSA1
Fabrikant : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Serie : OptiMOS™
Del Status : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 100V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 275µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 206nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 14800pF @ 50V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 300W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandør Device Package : PG-TO220-3
Pakke / tilfælde : TO-220-3