Hvis din placering ikke er angivet, skal du vælge et af følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Hvis din placering ikke er angivet, skal du vælge et af følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Hjem
  2. Produkter
  3. Diskrete halvlederprodukter
  4. Dioder - Rectifiers - Arrays
  5. CDBGBSC201200-G

Comchip Technology - CDBGBSC201200-G

KEY Part #: K6470411

CDBGBSC201200-G Prissætning (USD) [6888stk Lager]

  • 1 pcs$5.98205
Varenummer:
CDBGBSC201200-G
Fabrikant:
Comchip Technology
Detaljeret beskrivelse:
DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER. Schottky Diodes & Rectifiers DUAL SiC POWER SCHOTTKY 20A 1200V
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioder - Zener - Single, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Transistorer - Programmerbar Unijunction, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Dioder - Rectifiers - Arrays and Dioder - RF ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Comchip Technology CDBGBSC201200-G elektroniske komponenter. CDBGBSC201200-G kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til CDBGBSC201200-G, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CDBGBSC201200-G Produktegenskaber

Varenummer : CDBGBSC201200-G
Fabrikant : Comchip Technology
Beskrivelse : DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
Serie : -
Del Status : Active
Diode Konfiguration : 1 Pair Common Cathode
Diodetype : Silicon Carbide Schottky
Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max) : 1200V
Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io) (pr. Diode) : 25.9A (DC)
Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis : 1.8V @ 10A
Hastighed : No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 0ns
Nuværende - Reverse Lækage @ Vr : 100µA @ 1200V
Driftstemperatur - Junction : -55°C ~ 175°C
Monteringstype : Through Hole
Pakke / tilfælde : TO-247-3
Leverandør Device Package : TO-247

Seneste nyt

Comchip Technology CGRTS General Purpose Rectifiers
Comchip Technology ACZRT55C-G Automotive Zener Diodes
Du kan også være interesseret i
  • MBR20100CT-G

    Comchip Technology

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220.

  • MBR2040CT-G

    Comchip Technology

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 40V, 20A

  • MBR20150CT-G

    Comchip Technology

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO220. Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY RECT 20A 150V

  • MBR2030CT-G

    Comchip Technology

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30V, 20A

  • 1SS309(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA SMV. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode 85V, 200mW

  • 1SS308(TE85L,F

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC74A. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 80V Switching High-Speed Diode

Varme dele