Fabrikant :
Vishay Siliconix
Beskrivelse :
MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
Teknologi :
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) :
200V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C :
1.9A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
8.9nC @ 10V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds :
170pF @ 25V
Power Dissipation (Max) :
2.5W (Ta), 25W (Tc)
Driftstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype :
Surface Mount
Leverandør Device Package :
D-Pak
Pakke / tilfælde :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63