Hvis din placering ikke er angivet, skal du vælge et af følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Hvis din placering ikke er angivet, skal du vælge et af følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Hjem
  2. Produkter
  3. Integrerede kredsløb (IC'er)
  4. Hukommelse
  5. TC58NYG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc. - TC58NYG2S0HBAI4

KEY Part #: K937136

TC58NYG2S0HBAI4 Prissætning (USD) [15996stk Lager]

  • 1 pcs$2.86455
Varenummer:
TC58NYG2S0HBAI4
Fabrikant:
Toshiba Memory America, Inc.
Detaljeret beskrivelse:
4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Lineær - Forstærkere - Lyd, Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array) m, Interface - Sensor og Detektor Interfaces, Hukommelse, Data Acquisition - Touch Screen Controllers, Interface - Filtre - Aktiv, Data Acquisition - Digitale Potentiometre and Data Acquisition - Analog Front End (AFE) ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Toshiba Memory America, Inc. TC58NYG2S0HBAI4 elektroniske komponenter. TC58NYG2S0HBAI4 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til TC58NYG2S0HBAI4, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58NYG2S0HBAI4 Produktegenskaber

Varenummer : TC58NYG2S0HBAI4
Fabrikant : Toshiba Memory America, Inc.
Beskrivelse : 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V
Serie : -
Del Status : Active
Hukommelsestype : Non-Volatile
Hukommelsesformat : FLASH
Teknologi : FLASH - NAND (SLC)
Hukommelsesstørrelse : 4Gb (512M x 8)
Urfrekvens : -
Skriv cyklus Tid - Ord, Side : 25ns
Adgangstid : -
Memory Interface : -
Spænding - Supply : 1.7V ~ 1.95V
Driftstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Monteringstype : Surface Mount
Pakke / tilfælde : 63-VFBGA
Leverandør Device Package : 63-TFBGA (9x11)

Seneste nyt

Toshiba Memory THGAM e-MMC™ NAND Flash Memory
Toshiba Memory FlashAir™ W-04 Wireless SD Cards
Toshiba Memory THGAF Managed NAND Flash Memories
Du kan også være interesseret i
  • MR25H256CDC

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 256K SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 256Kb 3V 32Kx8 Serial MRAM

  • MB85RS2MTPF-G-JNERE2

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 25MHZ 8SOP.

  • AT28HC256E-90SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 90NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • AT28HC256-12SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • AT28C256E-15SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 150NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • W9825G2JB-6I TR

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 166MHz, Ind Temp T&R

Varme dele