MPG06J-E3/53 Prissætning (USD) [803379stk Lager]
- 1 pcs$0.04858
- 9,000 pcs$0.04834
- Varenummer:
- MPG06J-E3/53
- Fabrikant:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detaljeret beskrivelse:
- DIODE GEN PURP 600V 1A MPG06. Rectifiers 600 Volt 1.0 Amp 40 Amp IFSM Trim Leads
- Producentens standard ledetid:
- På lager
- Opbevaringstid:
- Et år
- Chip fra:
- Hong Kong
- RoHS:
- Betalingsmetode:
-
- Forsendelsesmåde:
- Familiekategorier:
- KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Arrays, Dioder - Rectifiers - Arrays, Dioder - Variabel Kapacitans (Varicaps, Varactors), Transistorer - Særligt formål, Dioder - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Transistorer - IGBT'er - Single and Thyristorer - DIAC'er, SIDAC'er ...
- Konkurrencefordel:
- Vi er specialiserede i Vishay Semiconductor Diodes Division MPG06J-E3/53 elektroniske komponenter. MPG06J-E3/53 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til MPG06J-E3/53, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
MPG06J-E3/53 Produktegenskaber
Varenummer :
MPG06J-E3/53
Fabrikant :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beskrivelse :
DIODE GEN PURP 600V 1A MPG06
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Del Status :
Active
Diodetype :
Standard
Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max) :
600V
Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io) :
1A
Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis :
1.1V @ 1A
Hastighed :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
600ns
Nuværende - Reverse Lækage @ Vr :
5µA @ 600V
Kapacitans @ Vr, F :
10pF @ 4V, 1MHz
Monteringstype :
Through Hole
Pakke / tilfælde :
MPG06, Axial
Leverandør Device Package :
MPG06
Driftstemperatur - Junction :
-55°C ~ 150°C
Seneste nyt
Du kan også være interesseret i
-
VS-60APF04-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 60A TO247AC. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - TO-247-e3
-
-
BAV20 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array
-
BAV19 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array
-
-
Varme dele
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G