BYM10-800HE3/96 Prissætning (USD) [637631stk Lager]
- 1 pcs$0.05801
- 6,000 pcs$0.05304
- Varenummer:
- BYM10-800HE3/96
- Fabrikant:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detaljeret beskrivelse:
- DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB. Rectifiers 800 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
- Producentens standard ledetid:
- På lager
- Opbevaringstid:
- Et år
- Chip fra:
- Hong Kong
- RoHS:
- Betalingsmetode:
-
- Forsendelsesmåde:
- Familiekategorier:
- KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Transistorer - IGBT'er - Single, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Thyristorer - TRIACs, Dioder - Zener - Arrays, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - RF and Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays ...
- Konkurrencefordel:
- Vi er specialiserede i Vishay Semiconductor Diodes Division BYM10-800HE3/96 elektroniske komponenter. BYM10-800HE3/96 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til BYM10-800HE3/96, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
BYM10-800HE3/96 Produktegenskaber
Varenummer :
BYM10-800HE3/96
Fabrikant :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beskrivelse :
DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
Serie :
SUPERECTIFIER®
Del Status :
Active
Diodetype :
Standard
Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max) :
800V
Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io) :
1A
Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis :
1.2V @ 1A
Hastighed :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Nuværende - Reverse Lækage @ Vr :
10µA @ 800V
Kapacitans @ Vr, F :
8pF @ 4V, 1MHz
Monteringstype :
Surface Mount
Pakke / tilfælde :
DO-213AB, MELF (Glass)
Leverandør Device Package :
DO-213AB
Driftstemperatur - Junction :
-65°C ~ 175°C
Seneste nyt
Du kan også være interesseret i
-
-
GL41YHE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM
-
RGL34KHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 500MA DO213. Rectifiers 800 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM
-
GL34BHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM
-
GL34AHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM
-
GL34DHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 200 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM
Varme dele
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18