Hvis din placering ikke er angivet, skal du vælge et af følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Hvis din placering ikke er angivet, skal du vælge et af følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Hjem
  2. Produkter
  3. Diskrete halvlederprodukter
  4. Dioder - Rectifiers - Single
  5. JANTXV1N5809US

Microsemi Corporation - JANTXV1N5809US

KEY Part #: K6432943

JANTXV1N5809US Prissætning (USD) [3371stk Lager]

  • 1 pcs$12.85125
  • 100 pcs$8.85737
Varenummer:
JANTXV1N5809US
Fabrikant:
Microsemi Corporation
Detaljeret beskrivelse:
DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF. Rectifiers Rectifier
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - FET'er, MOSFET'er - RF, Transistorer - IGBT'er - Arrays, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Thyristorer - TRIACs, Dioder - Rectifiers - Single, Dioder - Rectifiers - Arrays and Dioder - Zener - Single ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Microsemi Corporation JANTXV1N5809US elektroniske komponenter. JANTXV1N5809US kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til JANTXV1N5809US, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N5809US Produktegenskaber

Varenummer : JANTXV1N5809US
Fabrikant : Microsemi Corporation
Beskrivelse : DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
Serie : Military, MIL-PRF-19500/477
Del Status : Active
Diodetype : Standard
Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max) : 100V
Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io) : 3A
Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis : 875mV @ 4A
Hastighed : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 30ns
Nuværende - Reverse Lækage @ Vr : 5µA @ 100V
Kapacitans @ Vr, F : 60pF @ 10V, 1MHz
Monteringstype : Surface Mount
Pakke / tilfælde : SQ-MELF, B
Leverandør Device Package : B, SQ-MELF
Driftstemperatur - Junction : -65°C ~ 175°C

Seneste nyt

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Du kan også være interesseret i
  • VS-16F20

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 16A DO203AA. Rectifiers 200 Volt 16 Amp

  • SS2FN6-M3/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 60V Vrrm 2A IF(AV) SMF (DO-219AB)

  • SS2FL3HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO-219AB. Schottky Diodes & Rectifiers If 2A Vrrm 30V AEC-Q101 Qualified

  • SS2FL3-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO-219AB. Schottky Diodes & Rectifiers If 2A Vrrm 30V DO-219AB Ifsm 50A

  • V3F6HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    3A60VSMFTRENCH SKY RECT..

  • SS2FH6-M3/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 2A,60V,SMF SCHOTTKY RECT

Varme dele