Infineon Technologies - IPD65R225C7ATMA1

KEY Part #: K6418925

IPD65R225C7ATMA1 Prissætning (USD) [83270stk Lager]

  • 1 pcs$0.49264
  • 2,500 pcs$0.49018

Varenummer:
IPD65R225C7ATMA1
Fabrikant:
Infineon Technologies
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Dioder - Variabel Kapacitans (Varicaps, Varactors), Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioder - Rectifiers - Single, Thyristorer - DIAC'er, SIDAC'er, Dioder - Bridge Rectifiers, Thyristorer - SCR'er - Moduler, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased and Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Infineon Technologies IPD65R225C7ATMA1 elektroniske komponenter. IPD65R225C7ATMA1 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til IPD65R225C7ATMA1, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD65R225C7ATMA1 Produktegenskaber

Varenummer : IPD65R225C7ATMA1
Fabrikant : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3
Serie : CoolMOS™ C7
Del Status : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 650V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 11A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 225 mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 240µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 996pF @ 400V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 63W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandør Device Package : PG-TO252-3
Pakke / tilfælde : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Du kan også være interesseret i