ON Semiconductor - NDS355N

KEY Part #: K6416644

NDS355N Prissætning (USD) [369371stk Lager]

  • 1 pcs$0.10064
  • 3,000 pcs$0.10014

Varenummer:
NDS355N
Fabrikant:
ON Semiconductor
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET N-CH 30V 1.6A SSOT3.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - IGBT'er - Moduler, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Thyristorer - SCR'er, Dioder - Rectifiers - Arrays, Dioder - Bridge Rectifiers and Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Arrays ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i ON Semiconductor NDS355N elektroniske komponenter. NDS355N kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til NDS355N, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NDS355N Produktegenskaber

Varenummer : NDS355N
Fabrikant : ON Semiconductor
Beskrivelse : MOSFET N-CH 30V 1.6A SSOT3
Serie : -
Del Status : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 30V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 1.6A (Ta)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 85 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 5nC @ 5V
Vgs (Max) : ±20V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 245pF @ 10V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 500mW (Ta)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandør Device Package : SuperSOT-3
Pakke / tilfælde : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3