Infineon Technologies - IPN80R600P7ATMA1

KEY Part #: K6419541

IPN80R600P7ATMA1 Prissætning (USD) [117493stk Lager]

  • 1 pcs$0.31481

Varenummer:
IPN80R600P7ATMA1
Fabrikant:
Infineon Technologies
Detaljeret beskrivelse:
COOLMOS P7 800V SOT-223.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Dioder - Rectifiers - Single, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Thyristorer - SCR'er, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Arrays, Transistorer - JFET'er, Dioder - Variabel Kapacitans (Varicaps, Varactors) and Transistorer - Programmerbar Unijunction ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Infineon Technologies IPN80R600P7ATMA1 elektroniske komponenter. IPN80R600P7ATMA1 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til IPN80R600P7ATMA1, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPN80R600P7ATMA1 Produktegenskaber

Varenummer : IPN80R600P7ATMA1
Fabrikant : Infineon Technologies
Beskrivelse : COOLMOS P7 800V SOT-223
Serie : CoolMOS™ P7
Del Status : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 800V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 8A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 170µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 570pF @ 500V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 7.4W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandør Device Package : PG-SOT223
Pakke / tilfælde : TO-261-3

Du kan også være interesseret i