IDC28D120T6MX1SA2 Prissætning (USD) [19939stk Lager]
- 1 pcs$2.06688
- Varenummer:
- IDC28D120T6MX1SA2
- Fabrikant:
- Infineon Technologies
- Detaljeret beskrivelse:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER.
- Producentens standard ledetid:
- På lager
- Opbevaringstid:
- Et år
- Chip fra:
- Hong Kong
- RoHS:
- Betalingsmetode:
-
- Forsendelsesmåde:
- Familiekategorier:
- KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Thyristorer - SCR'er, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Arrays, Thyristorer - TRIACs, Transistorer - IGBT'er - Arrays, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single, Transistorer - Særligt formål, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased and Transistorer - Programmerbar Unijunction ...
- Konkurrencefordel:
- Vi er specialiserede i Infineon Technologies IDC28D120T6MX1SA2 elektroniske komponenter. IDC28D120T6MX1SA2 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til IDC28D120T6MX1SA2, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
IDC28D120T6MX1SA2 Produktegenskaber
Varenummer :
IDC28D120T6MX1SA2
Fabrikant :
Infineon Technologies
Beskrivelse :
DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER
Serie :
-
Del Status :
Active
Diodetype :
Standard
Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max) :
1200V
Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io) :
50A
Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis :
2.05V @ 50A
Hastighed :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Nuværende - Reverse Lækage @ Vr :
10µA @ 1200V
Kapacitans @ Vr, F :
-
Monteringstype :
Surface Mount
Pakke / tilfælde :
Die
Leverandør Device Package :
Sawn on foil
Driftstemperatur - Junction :
-40°C ~ 175°C
Seneste nyt
Du kan også være interesseret i
-
BAS19
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
MMBD4448
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Conductance Fast
-
MMBD1501A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose
-
BAS29
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
BAV20W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 625mA 1A IFSM
-
1N4148W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns
Varme dele
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A