Hvis din placering ikke er angivet, skal du vælge et af følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Hvis din placering ikke er angivet, skal du vælge et af følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Hjem
  2. Produkter
  3. Diskrete halvlederprodukter
  4. Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Arrays
  5. EPC2103ENG

EPC - EPC2103ENG

KEY Part #: K6523725

[4069stk Lager]

    Varenummer:
    EPC2103ENG
    Fabrikant:
    EPC
    Detaljeret beskrivelse:
    GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE.
    Producentens standard ledetid:
    På lager
    Opbevaringstid:
    Et år
    Chip fra:
    Hong Kong
    RoHS:
    Betalingsmetode:
    Forsendelsesmåde:
    Familiekategorier:
    KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - JFET'er, Transistorer - IGBT'er - Single, Dioder - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Thyristorer - DIAC'er, SIDAC'er, Transistorer - IGBT'er - Moduler, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased ...
    Konkurrencefordel:
    Vi er specialiserede i EPC EPC2103ENG elektroniske komponenter. EPC2103ENG kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til EPC2103ENG, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    EPC2103ENG Produktegenskaber

    Varenummer : EPC2103ENG
    Fabrikant : EPC
    Beskrivelse : GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE
    Serie : eGaN®
    Del Status : Active
    FET Type : 2 N-Channel (Half Bridge)
    FET-funktion : GaNFET (Gallium Nitride)
    Afløb til Source Voltage (VDSS) : 80V
    Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 23A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 20A, 5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 7mA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 6.5nC @ 5V
    Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 760pF @ 40V
    Strøm - Max : -
    Driftstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Monteringstype : Surface Mount
    Pakke / tilfælde : Die
    Leverandør Device Package : Die
    Du kan også være interesseret i
    • PMGD175XN,115

      NXP USA Inc.

      MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP.

    • STC6NF30V

      STMicroelectronics

      MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-TSSOP.

    • AO8822#A

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP.

    • AO8814#A

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8TSSOP.

    • AO8810#A

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP.

    • AO8804_100

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2N-CH 20V.

    Varme dele