RGF1BHE3/67A Prissætning (USD) [506068stk Lager]
- 1 pcs$0.07309
- 6,000 pcs$0.06624
- Varenummer:
- RGF1BHE3/67A
- Fabrikant:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detaljeret beskrivelse:
- DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1 Amp 100 Volt 150ns 30 Amp IFSM
- Producentens standard ledetid:
- På lager
- Opbevaringstid:
- Et år
- Chip fra:
- Hong Kong
- RoHS:
- Betalingsmetode:
-
- Forsendelsesmåde:
- Familiekategorier:
- KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - IGBT'er - Arrays, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Arrays, Dioder - Variabel Kapacitans (Varicaps, Varactors), Transistorer - IGBT'er - Moduler, Transistorer - JFET'er, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Thyristorer - TRIACs and Thyristorer - SCR'er ...
- Konkurrencefordel:
- Vi er specialiserede i Vishay Semiconductor Diodes Division RGF1BHE3/67A elektroniske komponenter. RGF1BHE3/67A kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til RGF1BHE3/67A, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
RGF1BHE3/67A Produktegenskaber
Varenummer :
RGF1BHE3/67A
Fabrikant :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beskrivelse :
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
Serie :
SUPERECTIFIER®
Del Status :
Active
Diodetype :
Standard
Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max) :
100V
Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io) :
1A
Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis :
1.3V @ 1A
Hastighed :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
150ns
Nuværende - Reverse Lækage @ Vr :
5µA @ 100V
Kapacitans @ Vr, F :
8.5pF @ 4V, 1MHz
Monteringstype :
Surface Mount
Pakke / tilfælde :
DO-214BA
Leverandør Device Package :
DO-214BA (GF1)
Driftstemperatur - Junction :
-65°C ~ 175°C
Seneste nyt
Du kan også være interesseret i
-
ES1D-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt
-
US1M-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 1000 Volt
-
ES2CHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,150V,20ns SMB, UF Rect, SMD
-
ES2AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20ns SMB, UF Rect, SMD
-
ES2BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,100V,20ns SMB, UF Rect, SMD
-
MURS120HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA. Rectifiers 1A,200V,25ns SMB, UF Rect, SMD
Varme dele
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18