Micron Technology Inc. - MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR

KEY Part #: K938191

MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR Prissætning (USD) [19516stk Lager]

  • 1 pcs$2.34790

Varenummer:
MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR
Fabrikant:
Micron Technology Inc.
Detaljeret beskrivelse:
IC FLASH 2G PARALLEL FBGA. NAND Flash SLC 2G 128MX16 FBGA
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Logik - Oversættere, Level Shifters, Logik - Gates and Inverters, Interface - Controllers, Hukommelse - Konfiguration Proms til FPGA'er, Interface - Encoders, Decoders, Converters, Memory - Controllers, Ur / Timing - Programmerbare Timere og Oscillatore and Logik - Gates and Inverters - Multi-Function, Konf ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Micron Technology Inc. MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR elektroniske komponenter. MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR Produktegenskaber

Varenummer : MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR
Fabrikant : Micron Technology Inc.
Beskrivelse : IC FLASH 2G PARALLEL FBGA
Serie : Automotive, AEC-Q100
Del Status : Active
Hukommelsestype : Non-Volatile
Hukommelsesformat : FLASH
Teknologi : FLASH - NAND
Hukommelsesstørrelse : 2Gb (128M x 16)
Urfrekvens : -
Skriv cyklus Tid - Ord, Side : -
Adgangstid : -
Memory Interface : Parallel
Spænding - Supply : 1.7V ~ 1.95V
Driftstemperatur : -40°C ~ 105°C (TA)
Monteringstype : -
Pakke / tilfælde : -
Leverandør Device Package : -

Du kan også være interesseret i
  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • W979H2KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA. DRAM 512Mb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)