Microsemi Corporation - APT50GR120JD30

KEY Part #: K6533687

Familiekategorier:: KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistorer - IGBT'er - Single, Transistorer - IGBT'er - Moduler, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Arrays, Dioder - Variabel Kapacitans (Varicaps, Varactors), Thyristorer - TRIACs, Dioder - RF and Transistorer - FET'er, MOSFET'er - RF ...

Konkurrencefordel:: Vi er specialiserede i Microsemi Corporation APT50GR120JD30 elektroniske komponenter. APT50GR120JD30 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til APT50GR120JD30, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com

Varenummer : APT50GR120JD30

Fabrikant : Microsemi Corporation

Beskrivelse : IGBT 1200V 84A 417W SOT227

Serie : -

Del Status : Active

IGBT Type : NPT

Konfiguration : Single

Spænding - Samler Emitter Opdeling (Max) : 1200V

Nuværende - Samler (Ic) (Max) : 84A

Strøm - Max : 417W

Vce (på) (Max) @ Vge, Ic : 3.2V @ 15V, 50A

Nuværende - Collector Cutoff (Max) : 1.1mA

Inputkapacitans (Cies) @ Vce : 5.55nF @ 25V

Input : Standard

NTC-termistor : No

Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstype : Chassis Mount

Pakke / tilfælde : SOT-227-4

Leverandør Device Package : SOT-227

Du kan også være interesseret i

VS-GT175DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.
VS-CPV363M4KPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.
VS-GT100NA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.
VS-GT100LA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.
VS-GT100DA60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 600V 184A 577W SOT-227.
VS-GT100DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.