Microsemi Corporation - APTGT100DH60T3G

KEY Part #: K6533667

Familiekategorier:: KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Dioder - Rectifiers - Single, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Transistorer - JFET'er, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - RF, Transistorer - IGBT'er - Arrays, Dioder - Bridge Rectifiers, Thyristorer - SCR'er and Dioder - Rectifiers - Arrays ...

Konkurrencefordel:: Vi er specialiserede i Microsemi Corporation APTGT100DH60T3G elektroniske komponenter. APTGT100DH60T3G kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til APTGT100DH60T3G, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com

Varenummer : APTGT100DH60T3G

Fabrikant : Microsemi Corporation

Beskrivelse : MOD IGBT 600V 150A SP3

Serie : -

Del Status : Obsolete

IGBT Type : Trench Field Stop

Konfiguration : Asymmetrical Bridge

Spænding - Samler Emitter Opdeling (Max) : 600V

Nuværende - Samler (Ic) (Max) : 150A

Strøm - Max : 340W

Vce (på) (Max) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 100A

Nuværende - Collector Cutoff (Max) : 250µA

Inputkapacitans (Cies) @ Vce : 6.1nF @ 25V

Input : Standard

NTC-termistor : Yes

Driftstemperatur : -40°C ~ 175°C (TJ)

Monteringstype : Through Hole

Pakke / tilfælde : SP3

Leverandør Device Package : SP3

Du kan også være interesseret i

VS-GT175DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.
VS-CPV363M4KPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.
VS-GT100NA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.
VS-GT100LA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.
VS-GT100DA60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 600V 184A 577W SOT-227.
VS-GT100DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.

Varme dele