Infineon Technologies - IRLZ34NPBF

KEY Part #: K6420352

IRLZ34NPBF Prissætning (USD) [65399stk Lager]

  • 1 pcs$0.45573
  • 10 pcs$0.40472
  • 100 pcs$0.30248
  • 500 pcs$0.23459
  • 1,000 pcs$0.18520

Varenummer:
IRLZ34NPBF
Fabrikant:
Infineon Technologies
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET N-CH 55V 30A TO-220AB.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - IGBT'er - Moduler, Dioder - Zener - Single, Transistorer - Særligt formål, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Thyristorer - SCR'er - Moduler, Dioder - Rectifiers - Single, Dioder - RF and Dioder - Zener - Arrays ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Infineon Technologies IRLZ34NPBF elektroniske komponenter. IRLZ34NPBF kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til IRLZ34NPBF, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLZ34NPBF Produktegenskaber

Varenummer : IRLZ34NPBF
Fabrikant : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 55V 30A TO-220AB
Serie : HEXFET®
Del Status : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 55V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 30A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 5V
Vgs (Max) : ±16V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 880pF @ 25V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 68W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandør Device Package : TO-220AB
Pakke / tilfælde : TO-220-3

Du kan også være interesseret i