1N5402GHB0G Prissætning (USD) [1146094stk Lager]
- 1 pcs$0.03227
- Varenummer:
- 1N5402GHB0G
- Fabrikant:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Detaljeret beskrivelse:
- DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD.
- Producentens standard ledetid:
- På lager
- Opbevaringstid:
- Et år
- Chip fra:
- Hong Kong
- RoHS:
- Betalingsmetode:
-
- Forsendelsesmåde:
- Familiekategorier:
- KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Dioder - RF, Power Driver Modules, Transistorer - IGBT'er - Single, Thyristorer - DIAC'er, SIDAC'er, Dioder - Rectifiers - Single, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single and Transistorer - JFET'er ...
- Konkurrencefordel:
- Vi er specialiserede i Taiwan Semiconductor Corporation 1N5402GHB0G elektroniske komponenter. 1N5402GHB0G kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til 1N5402GHB0G, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
1N5402GHB0G Produktegenskaber
Varenummer :
1N5402GHB0G
Fabrikant :
Taiwan Semiconductor Corporation
Beskrivelse :
DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Del Status :
Active
Diodetype :
Standard
Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max) :
200V
Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io) :
3A
Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis :
1V @ 3A
Hastighed :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Nuværende - Reverse Lækage @ Vr :
5µA @ 200V
Kapacitans @ Vr, F :
25pF @ 4V, 1MHz
Monteringstype :
Through Hole
Pakke / tilfælde :
DO-201AD, Axial
Leverandør Device Package :
DO-201AD
Driftstemperatur - Junction :
-55°C ~ 150°C
Seneste nyt
Du kan også være interesseret i
-
1SS307(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE GEN PURP 30V 100MA SMINI. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching diode, 30V 3 pins, S-Mini 0.1A
-
SB220-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 20V 2A DO204AC. Schottky Diodes & Rectifiers 20 Volt 2.0 Amp 60 Amp IFSM
-
V15P8HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 80V 15A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 15A, 80V, SMPC AEC-Q101 Qualified
-
SS10PH10HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 10A 100V SM Schottky Rect
-
VS-6ESU06HM3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A. Rectifiers Ultrafst Rct 6A 600V AEC-Q101
-
V10PN50-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 50V 5.3A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 10A,50V,TRENCH SKY RECT.
Varme dele
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A