Hvis din placering ikke er angivet, skal du vælge et af følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Hvis din placering ikke er angivet, skal du vælge et af følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Hjem
  2. Produkter
  3. Diskrete halvlederprodukter
  4. Dioder - Rectifiers - Single
  5. JANTX1N5804US

Microsemi Corporation - JANTX1N5804US

KEY Part #: K6431598

JANTX1N5804US Prissætning (USD) [9278stk Lager]

  • 1 pcs$5.84730
  • 100 pcs$5.81821
Varenummer:
JANTX1N5804US
Fabrikant:
Microsemi Corporation
Detaljeret beskrivelse:
DIODE GEN PURP 100V 1A D5A. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 2.5A SFST 100V HR
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Dioder - Zener - Single, Transistorer - IGBT'er - Moduler, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - RF, Thyristorer - TRIACs, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Power Driver Modules, Dioder - Variabel Kapacitans (Varicaps, Varactors) and Thyristorer - DIAC'er, SIDAC'er ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Microsemi Corporation JANTX1N5804US elektroniske komponenter. JANTX1N5804US kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til JANTX1N5804US, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTX1N5804US Produktegenskaber

Varenummer : JANTX1N5804US
Fabrikant : Microsemi Corporation
Beskrivelse : DIODE GEN PURP 100V 1A D5A
Serie : Military, MIL-PRF-19500/477
Del Status : Active
Diodetype : Standard
Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max) : 100V
Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io) : 1A
Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis : 875mV @ 1A
Hastighed : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 25ns
Nuværende - Reverse Lækage @ Vr : 1µA @ 100V
Kapacitans @ Vr, F : 25pF @ 10V, 1MHz
Monteringstype : Surface Mount
Pakke / tilfælde : SQ-MELF, A
Leverandør Device Package : D-5A
Driftstemperatur - Junction : -65°C ~ 175°C

Seneste nyt

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Du kan også være interesseret i
  • 1SS193,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR

  • SICRD10650CTTR

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S.

  • V12PM10HM3/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 100V SMPC (TO-277A) AEC-Q101 Qualified

  • AR3PM-M3/87A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 1KV 1.6A TO277. Rectifiers 3A,1000V,Fast RecoveryAvalanche SM

  • V12P8-M3/86A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 80V 4.3A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 12A, 80V,TRENCH SKY RECT.

  • VS-6ESH06-M3/87A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A. Rectifiers Hypfst Rct 6A 600V

Varme dele