RGF1M-E3/67A Prissætning (USD) [550125stk Lager]
- 1 pcs$0.07095
- 1,500 pcs$0.07060
- 3,000 pcs$0.06437
- 7,500 pcs$0.06021
- 10,500 pcs$0.05606
- Varenummer:
- RGF1M-E3/67A
- Fabrikant:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detaljeret beskrivelse:
- DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1 Amp 1000Volt 500ns 30 Amp IFSM
- Producentens standard ledetid:
- På lager
- Opbevaringstid:
- Et år
- Chip fra:
- Hong Kong
- RoHS:
- Betalingsmetode:
-
- Forsendelsesmåde:
- Familiekategorier:
- KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Thyristorer - SCR'er, Transistorer - IGBT'er - Single, Dioder - Zener - Single, Transistorer - JFET'er, Thyristorer - SCR'er - Moduler, Power Driver Modules, Transistorer - Særligt formål and Transistorer - FET'er, MOSFET'er - RF ...
- Konkurrencefordel:
- Vi er specialiserede i Vishay Semiconductor Diodes Division RGF1M-E3/67A elektroniske komponenter. RGF1M-E3/67A kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til RGF1M-E3/67A, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
RGF1M-E3/67A Produktegenskaber
Varenummer :
RGF1M-E3/67A
Fabrikant :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beskrivelse :
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA
Serie :
SUPERECTIFIER®
Del Status :
Active
Diodetype :
Standard
Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max) :
1000V
Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io) :
1A
Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis :
1.3V @ 1A
Hastighed :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
500ns
Nuværende - Reverse Lækage @ Vr :
5µA @ 1000V
Kapacitans @ Vr, F :
8.5pF @ 4V, 1MHz
Monteringstype :
Surface Mount
Pakke / tilfælde :
DO-214BA
Leverandør Device Package :
DO-214BA (GF1)
Driftstemperatur - Junction :
-65°C ~ 175°C
Seneste nyt
Du kan også være interesseret i
-
-
C3D04060E
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 4A
-
-
BAS21E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 250V 0.25A
-
BAT64E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers 40V 0.12A
-
MMBD1201
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Conductance Ultra Fast
Varme dele
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A