Infineon Technologies - IPB083N15N5LFATMA1

KEY Part #: K6417458

IPB083N15N5LFATMA1 Prissætning (USD) [31745stk Lager]

  • 1 pcs$1.29824
  • 1,000 pcs$1.24680

Varenummer:
IPB083N15N5LFATMA1
Fabrikant:
Infineon Technologies
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Dioder - Zener - Single, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Transistorer - IGBT'er - Single, Transistorer - Programmerbar Unijunction, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Transistorer - IGBT'er - Moduler, Thyristorer - SCR'er - Moduler and Power Driver Modules ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Infineon Technologies IPB083N15N5LFATMA1 elektroniske komponenter. IPB083N15N5LFATMA1 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til IPB083N15N5LFATMA1, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB083N15N5LFATMA1 Produktegenskaber

Varenummer : IPB083N15N5LFATMA1
Fabrikant : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3
Serie : OptiMOS™
Del Status : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 150V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 105A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.9V @ 134µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 45nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 210pF @ 75V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 179W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandør Device Package : D²PAK (TO-263AB)
Pakke / tilfælde : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB