ON Semiconductor - FQD2N60CTM

KEY Part #: K6392985

FQD2N60CTM Prissætning (USD) [227124stk Lager]

  • 1 pcs$0.16285
  • 2,500 pcs$0.15234

Varenummer:
FQD2N60CTM
Fabrikant:
ON Semiconductor
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single, Dioder - Zener - Single, Transistorer - IGBT'er - Arrays, Transistorer - IGBT'er - Single, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - Særligt formål and Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i ON Semiconductor FQD2N60CTM elektroniske komponenter. FQD2N60CTM kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til FQD2N60CTM, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQD2N60CTM Produktegenskaber

Varenummer : FQD2N60CTM
Fabrikant : ON Semiconductor
Beskrivelse : MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Serie : QFET®
Del Status : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 600V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 1.9A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.7 Ohm @ 950mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 235pF @ 25V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandør Device Package : D-Pak
Pakke / tilfælde : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63