Hvis din placering ikke er angivet, skal du vælge et af følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Hvis din placering ikke er angivet, skal du vælge et af følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Hjem
  2. Produkter
  3. Diskrete halvlederprodukter
  4. Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single
  5. EPC2001C

EPC - EPC2001C

KEY Part #: K6417096

EPC2001C Prissætning (USD) [41490stk Lager]

  • 1 pcs$0.98973
  • 2,500 pcs$0.98481
Varenummer:
EPC2001C
Fabrikant:
EPC
Detaljeret beskrivelse:
GANFET TRANS 100V 36A BUMPED DIE.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - IGBT'er - Moduler, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - RF, Thyristorer - DIAC'er, SIDAC'er, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Transistorer - JFET'er and Transistorer - Bipolar (BJT) - Single ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i EPC EPC2001C elektroniske komponenter. EPC2001C kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til EPC2001C, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2001C Produktegenskaber

Varenummer : EPC2001C
Fabrikant : EPC
Beskrivelse : GANFET TRANS 100V 36A BUMPED DIE
Serie : eGaN®
Del Status : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : GaNFET (Gallium Nitride)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 100V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 36A (Ta)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 9nC @ 5V
Vgs (Max) : +6V, -4V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 900pF @ 50V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : -
Driftstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandør Device Package : Die Outline (11-Solder Bar)
Pakke / tilfælde : Die
Du kan også være interesseret i
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.

  • FDD4685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK.

Varme dele