Microsemi Corporation - APTM100UM65DAG

KEY Part #: K6396601

APTM100UM65DAG Prissætning (USD) [508stk Lager]

  • 1 pcs$91.73470
  • 100 pcs$91.27831

Varenummer:
APTM100UM65DAG
Fabrikant:
Microsemi Corporation
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET N-CH 1000V 145A SP6.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Dioder - Rectifiers - Arrays, Transistorer - IGBT'er - Arrays, Thyristorer - DIAC'er, SIDAC'er, Dioder - Zener - Single, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single, Dioder - RF and Thyristorer - SCR'er ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Microsemi Corporation APTM100UM65DAG elektroniske komponenter. APTM100UM65DAG kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til APTM100UM65DAG, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM100UM65DAG Produktegenskaber

Varenummer : APTM100UM65DAG
Fabrikant : Microsemi Corporation
Beskrivelse : MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
Serie : -
Del Status : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 1000V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 145A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 78 mOhm @ 72.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 20mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 1068nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 28500pF @ 25V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 3250W (Tc)
Driftstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Chassis Mount
Leverandør Device Package : SP6
Pakke / tilfælde : SP6