IXYS - IXTP2N100P

KEY Part #: K6417870

IXTP2N100P Prissætning (USD) [44010stk Lager]

  • 1 pcs$1.02686
  • 50 pcs$1.02175

Varenummer:
IXTP2N100P
Fabrikant:
IXYS
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET N-CH 1000V 2A TO-220.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistorer - JFET'er, Thyristorer - TRIACs, Thyristorer - DIAC'er, SIDAC'er, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Dioder - Zener - Arrays and Dioder - Variabel Kapacitans (Varicaps, Varactors) ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i IXYS IXTP2N100P elektroniske komponenter. IXTP2N100P kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til IXTP2N100P, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP2N100P Produktegenskaber

Varenummer : IXTP2N100P
Fabrikant : IXYS
Beskrivelse : MOSFET N-CH 1000V 2A TO-220
Serie : Polar™
Del Status : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 1000V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 2A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 24.3nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 655pF @ 25V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 86W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandør Device Package : TO-220AB
Pakke / tilfælde : TO-220-3

Du kan også være interesseret i
  • BS107P

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3.

  • IRFR3607TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 75V 56A DPAK.

  • IXTY2N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252.

  • TK8A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS.

  • SPA11N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3.

  • IPA65R190E6XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220.