Beskrivelse :
IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE 8-DIP
Driven konfiguration :
Low-Side
Gate Type :
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Spænding - Supply :
4.5V ~ 35V
Logisk spænding - VIL, VIH :
0.8V, 3.5V
Nuværende - Peak Output (Source, Sink) :
9A, 9A
High Side Voltage - Max (Bootstrap) :
-
Stigning / Falltid (Typ) :
10ns, 10ns
Driftstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype :
Through Hole
Pakke / tilfælde :
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Leverandør Device Package :
8-PDIP