Microsemi Corporation - APT8M80K

KEY Part #: K6408942

[452stk Lager]


    Varenummer:
    APT8M80K
    Fabrikant:
    Microsemi Corporation
    Detaljeret beskrivelse:
    MOSFET N-CH 800V 8A TO-220.
    Producentens standard ledetid:
    På lager
    Opbevaringstid:
    Et år
    Chip fra:
    Hong Kong
    RoHS:
    Betalingsmetode:
    Forsendelsesmåde:
    Familiekategorier:
    KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Dioder - Rectifiers - Arrays, Dioder - Variabel Kapacitans (Varicaps, Varactors), Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistorer - Programmerbar Unijunction, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - RF and Thyristorer - TRIACs ...
    Konkurrencefordel:
    Vi er specialiserede i Microsemi Corporation APT8M80K elektroniske komponenter. APT8M80K kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til APT8M80K, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APT8M80K Produktegenskaber

    Varenummer : APT8M80K
    Fabrikant : Microsemi Corporation
    Beskrivelse : MOSFET N-CH 800V 8A TO-220
    Serie : POWER MOS 8™
    Del Status : Obsolete
    FET Type : N-Channel
    Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
    Afløb til Source Voltage (VDSS) : 800V
    Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 8A (Tc)
    Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.35 Ohm @ 4A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 500µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 43nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 1335pF @ 25V
    FET-funktion : -
    Power Dissipation (Max) : 225W (Tc)
    Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Monteringstype : Through Hole
    Leverandør Device Package : TO-220 [K]
    Pakke / tilfælde : TO-220-3