1N5408G-T Prissætning (USD) [714995stk Lager]
- 1 pcs$0.05173
- 1,200 pcs$0.04699
- 2,400 pcs$0.04307
- 6,000 pcs$0.04046
- 12,000 pcs$0.03785
- 30,000 pcs$0.03472
- Varenummer:
- 1N5408G-T
- Fabrikant:
- Diodes Incorporated
- Detaljeret beskrivelse:
- DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD. Rectifiers 3.0A 1000V
- Producentens standard ledetid:
- På lager
- Opbevaringstid:
- Et år
- Chip fra:
- Hong Kong
- RoHS:
- Betalingsmetode:
-
- Forsendelsesmåde:
- Familiekategorier:
- KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Thyristorer - SCR'er, Transistorer - IGBT'er - Moduler, Dioder - Rectifiers - Single, Dioder - Variabel Kapacitans (Varicaps, Varactors), Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Dioder - Bridge Rectifiers, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased and Transistorer - JFET'er ...
- Konkurrencefordel:
- Vi er specialiserede i Diodes Incorporated 1N5408G-T elektroniske komponenter. 1N5408G-T kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til 1N5408G-T, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
1N5408G-T Produktegenskaber
Varenummer :
1N5408G-T
Fabrikant :
Diodes Incorporated
Beskrivelse :
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Serie :
-
Del Status :
Active
Diodetype :
Standard
Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max) :
1000V
Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io) :
3A
Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis :
1.1V @ 3A
Hastighed :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
2µs
Nuværende - Reverse Lækage @ Vr :
5µA @ 1000V
Kapacitans @ Vr, F :
40pF @ 4V, 1MHz
Monteringstype :
Through Hole
Pakke / tilfælde :
DO-201AD, Axial
Leverandør Device Package :
DO-201AD
Driftstemperatur - Junction :
-65°C ~ 150°C
Seneste nyt
Du kan også være interesseret i
-
CSD01060E
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 600V 1A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers 1A 600V SIC SCHOTTKY DIODE
-
BAS19-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 120V
-
BAS116E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
C3D10060G
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO263-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 10A
-
VS-50WQ06FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A TO252AA. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
-
VS-30WQ06FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 3.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
Varme dele
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18